Fabrication and characterization of Sr0.8Bi2.2Ta2O9 /Al2O3 gate stack for ferroelectric field effect transistors.

Autor:	Kumar Jha, Rajesh1 (AUTHOR) rajajha25@gmail.com, Singh, Prashant2 (AUTHOR)
Zdroj:	Applied Physics A: Materials Science & Processing. Feb2021, Vol. 127 Issue 2, p1-11. 11p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.