The impact of point defects in n-type GaN layers on thermal decomposition of InGaN/GaN QWs.

Autor: Grabowski, Mikolaj1 mgrabowski@unipress.waw.pl, Grzanka, Ewa1,2, Grzanka, Szymon1,2, Lachowski, Artur1, Smalc-Koziorowska, Julita1,2, Czernecki, Robert1,2, Hrytsak, Roman1,3, Moneta, Joanna1, Gawlik, Grzegorz4, Turos, Andrzej5, Leszczyński, Mike1,2
Zdroj: Scientific Reports. 1/28/2021, Vol. 11 Issue 1, p1-11. 11p.
Databáze: Academic Search Ultimate
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje