Ar Ion Irradiation Effects on the Characteristics of Ru|Pt|n-GaN Schottky Barrier Diodes.

Autor:	Kumar, S.1 (AUTHOR), Mariswamy, V. Kumar2 (AUTHOR), Kumar, A.3 (AUTHOR), Kandasami, A.3 (AUTHOR), Nimmala, A.4 (AUTHOR), Rao, S. V. S. Nageswara4,5 (AUTHOR), Reddy, V. Rajagopal6 (AUTHOR), Sannathammegowda, K.1 (AUTHOR) sk@physics.uni-mysore.ac.in
Zdroj:	Semiconductors. 2020, Vol. 54 Issue 12, p1641-1649. 9p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.