SiNx/(Al,Ga)N interface barrier in N-polar III-nitride transistor structures studied by modulation spectroscopy.

Autor:	Janicki, Ł.1 lukasz.janicki@pwr.edu.pl, Li, H.2, Keller, S.2, Mishra, U. K.2, Kudrawiec, R.1
Zdroj:	Scientific Reports. 7/21/2020, Vol. 10 Issue 1, p1-8. 8p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.