Nondestructive Control of the Surface, Layers, and Charge Carrier Concentration on SiC Substrates and Structures.

Autor:	Markov, A. V.1 (AUTHOR), Panov, M. F.1 (AUTHOR) 19_panov_59@mail.ru, Rastegaev, V. P.1 (AUTHOR), Sevost'yanov, E. N.1 (AUTHOR), Trushlyakova, V. V.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Technical Physics. Dec2019, Vol. 64 Issue 12, p1774-1779. 6p. 1 Diagram, 3 Charts, 6 Graphs.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.