Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers.

Autor:	Prokhorov, D. S.1 (AUTHOR) dprokhrov@mail.ru, Shengurov, V. G.1 (AUTHOR), Denisov, S. A.1 (AUTHOR), Filatov, D. O.1 (AUTHOR), Zdoroveishev, A. V.1 (AUTHOR), Chalkov, V. Yu.1 (AUTHOR), Zaitsev, A. V.1 (AUTHOR), Ved', M. V.1 (AUTHOR), Dorokhin, M. V.1 (AUTHOR), Baidakova, N. A.2 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1262-1265. 4p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.