Thermal Surface Interface for High-Power Arsenide–Gallium Heterostructure FETs.

Autor:	Pashkovskii, A. B.1 (AUTHOR) solidstate10@mail.ru, Kulikova, I. V.1 (AUTHOR), Lapin, V. G.1 (AUTHOR), Lukashin, V. M.1 (AUTHOR), Pristupchik, N. K.1 (AUTHOR), Manchenko, L. V.1 (AUTHOR), Kalina, V. G.1 (AUTHOR), Lopin, M. I.1 (AUTHOR), Zakurdaev, A. D.1 (AUTHOR)
Zdroj:	Technical Physics. Feb2019, Vol. 64 Issue 2, p220-225. 6p. 1 Diagram, 4 Graphs.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.