Comparative Studies of AlGaAs/InGaAs Enhancement/Depletion-Mode High Electron Mobility Transistors with Virtual Channel Layers by Hybrid Gate Recesses Approaches.

Autor:	Tsai, Jung-Hui1 (AUTHOR) jhtsai@nknucc.nknu.edu.tw, Lin, Pao-Sheng1 (AUTHOR), Chen, Yu-Chi1 (AUTHOR), Liou, Syuan-Hao1 (AUTHOR), Niu, Jing-Shiuan1 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Mar2019, Vol. 53 Issue 3, p406-410. 5p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.