Structure and Properties of Zn-Implanted Si Near-Surface Layer Modification Depending on Irradiation Fluence of 132Xe26+ Ions with Energy of 167 MeV.

Autor:	Privezentsev, V. V.1 (AUTHOR) privezentsev@ftian.ru, Kulikauskas, V. S.2 (AUTHOR), Skuratov, V. A.3 (AUTHOR), Zilova, O. S.4 (AUTHOR), Burmistrov, A. A.4 (AUTHOR), Presnyakov, M. Yu.5 (AUTHOR), Goryachev, A. V.6 (AUTHOR)
Zdroj:	Semiconductors. Mar2019, Vol. 53 Issue 3, p313-320. 8p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.