Current Noise and Efficiency Droop of Light-Emitting Diodes in Defect-Assisted Carrier Tunneling from an InGaN/GaN Quantum Well.

Autor:	Bochkareva, N. I.1 (AUTHOR), Ivanov, A. M.1 (AUTHOR), Klochkov, A. V.1 (AUTHOR), Shreter, Y. G.1 (AUTHOR) y.shreter@mail.ioffe.ru
Zdroj:	Semiconductors. Jan2019, Vol. 53 Issue 1, p99-105. 7p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.