Precision Chemical Etching of GaP(NAs) Epitaxial Layers for the Formation of Monolithic Optoelectronic Devices.

Autor:	Kudryashov, D. A.1 kudryashovda@spbau.ru, Gudovskikh, A. S.1,2, Baranov, A. I.1
Zdroj:	Semiconductors. Dec2018, Vol. 52 Issue 13, p1775-1781. 7p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.