Research of p-i-n Junctions Based on 4H-SiC Fabricated by Low-Temperature Diffusion of Boron.

Autor:	Atabaev, I. G.1, Juraev, Kh. N.1
Zdroj:	Advances in Materials Science & Engineering. 2/28/2018, p1-10. 10p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.