Wave approach for noise modeling of gallium nitride high electron-mobility transistors.

Autor:	Đorđević, Vladica1 vladica.djordjevic@icnt.rs, Marinković, Zlatica2, Crupi, Giovanni3, Pronić‐Rančić, Olivera2, Marković, Vera2, Caddemi, Alina3
Zdroj:	International Journal of Numerical Modelling. Jan/Feb2017, Vol. 30 Issue 1, pn/a-N.PAG. 9p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.