Nouvelle approche de modélisation des transistors micro-ondes MESFET et HEMT.

Autor:	Touhami, R.1, Yagoub, M.C.E.2, Baudrand, H.3
Zdroj:	Canadian Journal of Physics. Aug2001, Vol. 79 Issue 8, p1075. 10p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu