RF and broadband noise investigation in High-k/Metal Gate 28-nm CMOS bulk transistor.

Autor:	Danneville, F.1, Poulain, L.1,2, Tagro, Y.1, Lepilliet, S.1, Dormieu, B.1,2, Gloria, D.2, Scheer, P.2, Dambrine, G.1
Zdroj:	International Journal of Numerical Modelling. Sep-Dec2014, Vol. 27 Issue 5/6, p736-747. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.