Modeling of parameters for nano-scale surrounding-gate MOSFET considering quantum mechanical effect.

Autor:	Chanda, Manash1, De, Swapnadip1, Sarkar, Chandan K.2
Zdroj:	International Journal of Numerical Modelling. Sep-Dec2014, Vol. 27 Issue 5/6, p883-895. 13p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.