Modeling of high-frequency noise of silicon CMOS transistors for RFIC design.

Autor:	Antonopoulos, Angelos1, Bucher, Matthias1, Papathanasiou, Kostas1, Makris, Nikolaos1, Mavredakis, Nikolaos1, Sharma, Rupendra Kumar1, Sakalas, Paulius2,3, Schroter, Michael2
Zdroj:	International Journal of Numerical Modelling. Sep-Dec2014, Vol. 27 Issue 5/6, p802-811. 10p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.