Estudo da influência de impurezas e da qualidade das superfícies em cristais de brometo de tálio para aplicação como um detector de radiação
| Autor: | SANTOS, ROBINSON A. dos |
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| Rok vydání: | 2016 |
| Předmět: |
polycrystals
crystal growth methods crystal structure plasma impurities phase diagrams phase transformations bridgman method x-ray diffraction scanning electron microscopy secondary beams secondary emission electron microprobe analysis electroluminescence radiation detectors semiconductor detectors thallium bromides halogen compounds |
| Zdroj: | Repositório Institucional do IPENInstituto de Pesquisas Energéticas e NuclearesIPEN. |
| Druh dokumentu: | Doctoral Thesis |
| Popis: | Submitted by Claudinei Pracidelli (cpracide@ipen.br) on 2016-11-11T13:09:25Z No. of bitstreams: 0 Made available in DSpace on 2016-11-11T13:09:25Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Neste trabalho, cristais de TlBr foram crescidos e purificados pelo método de Bridgman Repetido, a partir de sais comerciais de TlBr, e caracterizados para serem usados como detectores de radiação à temperatura ambiente. Para avaliar a eficiência de purificação, estudos da diminuição da concentração de impurezas foram feitos após cada crescimento, analisando as impurezas traço por Espectrometria de Massas com Plasma (ICP-MS). Um decréscimo significativo da concentração de impurezas em função do número de purificações foi observado. Os cristais crescidos apresentaram boa qualidade cristalina de acordo com os resultados de análise por Difração de Raios X (DRX), boa qualidade morfológica e estequiometria adequada de acordo com os resultados de análise por MEV(SE) e MEV(EDS). Um modelo matemático definido por equações diferenciais foi desenvolvido para avaliar as concentrações de impurezas no cristal de TlBr e suas segregações em função do número de crescimentos pelo método de Bridgman. Este modelo pode ser usado para calcular o coeficiente de migração das impurezas e mostrou ser útil para prever o número necessário de repetições de crescimento Bridgman para atingir nível de pureza adequado para assegurar a qualidade do cristal como detector de radiação. Os coeficientes se segregação obtidos são parâmetros importantes para análise microestrutural e análise de transporte de cargas nos cristais detectores. Para avaliar os cristais a serem usados como detectores de radiação, medidas de suas resistividades e resposta à incidência de radiação gama das fontes de 241Am (59,5keV) e 133Ba (81 keV) foram realizadas. Essa resposta foi dependente da pureza do cristal. Os detectores apresentaram um avanço significativo na eficiência de coleta de cargas em função da pureza. Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear) IPEN/T Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
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