Ein Beitrag zu spannungsfesten, leckstromarmen Hochgeschwindigkeitstransistoren auf InP - InP-based heterostructure field-effect transistor
| Autor: | Auer, Uwe Horst |
|---|---|
| Jazyk: | němčina |
| Rok vydání: | 2001 |
| Předmět: | |
| Druh dokumentu: | Text |
| Popis: | Molekularstrahlepitaxie, Technologie und Modellierung von InP-basierenden Heterostrukturfeldeffekttransistoren mit reduzierten Stoßionisationsraten und additiven Löcher- und Elektronenbarrieren zur Erzielung kleinster Leckströme und grössten Durchbruchsspannungen bei höchsten Schaltgeschwindigkeiten |
| Databáze: | Networked Digital Library of Theses & Dissertations |
| Externí odkaz: |
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