New opportunities for SiGe and Ge channel p-FETs
Autor: | Bedell, S.W., Daval, N., Khakifirooz, A., Kulkarni, P., Fogel, K., Domenicucci, A., Sadana, D.K. |
---|---|
Zdroj: | In Microelectronic Engineering 2011 88(4):324-330 |
Databáze: | ScienceDirect |
Externí odkaz: |