Investigation of impact of the gate circuitry on IGBT transistor dynamic parameters
| Autor: | Vytautas Bleizgys, Andrius Platakis |
|---|---|
| Jazyk: | English<br />Lithuanian |
| Rok vydání: | 2010 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Mokslas: Lietuvos Ateitis, Vol 2, Iss 1 (2010) |
| Druh dokumentu: | article |
| ISSN: | 2029-2341 2029-2252 |
| DOI: | 10.3846/mla.2010.013 |
| Popis: | The impact of Insulated Gate Bipolar Transistor driver circuit parameters on the rise and fall time of the collector current and voltage collector-emitter was investigated. The influence of transistor driver circuit parameters on heating of Insulated Gate Bipolar Transistors was investigated as well. Article in Lithuanian Valdymo grandinių įtakos IGBT tranzistoriaus dinaminiams parametrams tyrimas Santrauka Ištirta dvipolių tranzistorių su izoliuota užtūra (IGBT angl. Insulated Gate Bipolar Transistor) valdymo grandinių parametrų įtaka tranzistorių kolektoriaus srovės ir kolektoriaus-emiterio įtampos frontų trukmei, tranzistoriui atsidarant ir užsidarant. Ištirta grandinių parametrų įtaka IGBT tranzistorių modulio, naudojamo inverteryje, šilimui. Reikšminiai žodžiai: IGBT tranzistorius, dinaminiai parametrai, inverteris, dažnio keitiklis, asinchroninis variklis. |
| Databáze: | Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|