INFRARED SENSOR ON THE BASIS OF LEAD-TIN CHALCOGENIDE MULTICOMPONENT SOLID SOLUTIONS
| Jazyk: | ukrajinština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2012 |
| Předmět: |
халькогениды свинца-олова
жидкофазная эпитаксия поверхностно-барьерные структуры тонкий промежуточный слой окисла lead-tin chalcogenide liquid phase epitaxy barrier-surface structures thin intermediate oxide layer халькогеніди свинцю-олова рідинна епітаксія поверхнево-бар’єрні структури тонкий проміжний шар окислу |
| Zdroj: | Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 9, № 1 (2012); 36-41 Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 9, № 1 (2012); 36-41 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 9, № 1 (2012); 36-41 |
| ISSN: | 1815-7459 2415-3508 |
| Popis: | Методами рідинної епітаксії та термічного вакуумного напилення сформовані лінійки фотовольтаїчних інфрачервоних сенсорів на основі поверхнево-бар’єрних структур -шар/(KCl, )/Al(Pb) і Pb/ -шар/ . При температурі вимірювань 80 170 К, піковій довжині хвилі 8 12,2 мкм та довжині хвилі відсічки 8,3 12,8 мкм вони мали добуток диференціального опору при нульовому зміщенні на активну площу = 0,18 2,72 Ом·cм2, пікову квантову ефективність =0,28 0,52 та питому виявну здатність (0,61 4,51) 1010 см·Гц1/2·Вт-1. Методами жидкофазной эпитаксии и термического вакуумного напылениясформированы линейки фотовольтаических инфракрасных сенсоров на основе поверхностно-барьерных структур -слой/ (KCl, )/Al(Pb) и Pb/ -слой/р-Pb1-хSnхTe1-уSeу/р+-Pb0,80Sn0,20Te/Au. При температуре измерений 80 170170 K, пиковой длине волны 8 12,2 мкм и длине волны отсечки 8,3 12,8 мкм они имели произведение дифференциального сопротивления при нулевом смещении на активную площадь R0A = 0,18 2,72 Ом·cм2, пиковую квантовую эффективность=0,28 0,52 и удельную обнаружительную способность The linear photovoltaic infrared sensor arrays have been formed on the basis of -layer//(KCl, )/Al(Pb) and Pb/ -layer/ barrier-surface structures, which were obtained by the liquid phase epitaxy and thermal vacuum deposition techniques. At the80 170170 K, peak wavelength 8 12,2 and cutoff wavelength 8,3 12,8 they had the zero bias resistance area product = 0,18 2,72 , peak quantum efficiency =0,28 0,52 and peak detectivity (0,61 4,51) 1010 cm· |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|