A unified analytical model for bulk and surface mobility in Si n- and p-channel MOSFETs

Autor:	Reggiani, S., Valdinoci, M., Colalongo, Luigi, Baccarani, G.
Rok vydání:	1999
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3662::d32ae1a1186ecf441b21a5c41dd78223 http://hdl.handle.net/11379/160596 Zobrazit plný text záznamu