Ge Base Profile Engineering in SiGe:C HBTs for Power Amplifier Applications : Influence on Current Gain and Input Impedance over a Wide Range of Temperature
Autor: | Mans, P.M., Jouan, S., Brossard, F., Comte, Myriam, Pache, D., Maneux, C., Zimmer, T. |
---|---|
Přispěvatelé: | Fregonese, Sebastien |
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2008 |
Předmět: | |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |