Study of the Distribution Oftemperature Profiles in Nonstoichiometric SiOx Films at Laser Annealing
| Autor: | Gavrylyuk, O. O., Semchuk, O. Yu., Steblova, O. V., Evtukh, A. A., Fedorenko, L. L. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 7 (2014); 712 Український фізичний журнал; Том 59 № 7 (2014); 712 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| DOI: | 10.15407/ujpe59.07 |
| Popis: | The distribution of temperature profiles in nonstoichiometric SiOx films at the single pulse laser annealing has been studied theoretically. Temperature distributions on the surface of the SiOx films at irradiation by a laser beam with various intensities have been calculated. Temperature distributions on various depths of the SiOx films at irradiation by a laser beam with an intensity of 52 МW/cm2 have been found. During the laser pulse of 10 ns with an intensity of 52 MW/cm2, the temperature up to 1800 K can be reached on the specimen surface. Проведено теоретичне дослiдження розповсюдження температурних профiлiв в нестехiометричних плiвках SiOx при лазерному вiдпалi одиничним iмпульсом. Розраховано розподiл температури на поверхнi плiвок SiOx, опромiнених лазерним променем з рiзною iнтенсивнiстю. Знайдено розподiл температури на рiзнiй глибинi плiвок SiOx, опромiнених лазерним променем з iнтенсивнiстю 52 МВт/cм2. Показано, що при лазерному вiдпалi з iнтенсивнiстю 52 МВт/cм2 температура на поверхнi плiвок SiOx може досягати 1800 К. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|