Influence of the sputtering reactive gas on the oxide and oxynitride LaTiON deposition by RF magnetron sputtering
| Autor: | Ala Sharaiha, Ratiba Benzerga, Franck Tessier, François Cheviré, C. Le Paven-Thivet, Yuan Lu, L. Le Gendre |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes 1 (UR1), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2013 |
| Předmět: |
Materials science
Analytical chemistry General Physics and Astronomy 02 engineering and technology Surfaces and Interfaces General Chemistry Substrate (electronics) Sputter deposition 010402 general chemistry 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics Epitaxy Oxynitride Thin films RF sputtering Epitaxy Reactive gas 01 natural sciences 0104 chemical sciences Surfaces Coatings and Films [SPI.MAT]Engineering Sciences [physics]/Materials Carbon film Sputtering Deposition (phase transition) Thin film 0210 nano-technology Perovskite (structure) |
| Zdroj: | Applied Surface Science Applied Surface Science, 2013, 264, pp.533-537. ⟨10.1016/j.apsusc.2012.10.059⟩ Applied Surface Science, Elsevier, 2013, 264, pp.533-537. ⟨10.1016/j.apsusc.2012.10.059⟩ |
| ISSN: | 0169-4332 |
| DOI: | 10.1016/j.apsusc.2012.10.059⟩ |
| Popis: | Perovskite La Ti O N thin films have been grown by radio frequency magnetron sputtering from a LaTiO 2 N target. With a very low base pressure in the deposition chamber, two types of films can be obtained: colored oxynitride LaTiO 2 N films when nitrogen gas is introduced during sputtering or black N-doped LaTiO 3 films when deposition is performed in pure argon. On SrTiO 3 (0 0 1) substrate heated at 750 °C, LaTiO 2 N films are epitaxially grown, while N:LaTiO 3 films are poorly crystallized. With a higher base pressure in the deposition chamber, transparent La 2 Ti 2 O 7 films are produced. They are (0 1 2) textured on (0 0 1) SrTiO 3 substrate. As observed during the reactive sputtering of metallic targets, the evolution of the deposition rate and the nitrogen content in films according to the N 2 percentage in the plasma is abrupt. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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