Modeling, design, fabrication and experimentation of a GaN-based, 63Ni betavoltaic battery
| Autor: | J de Sanoit, Quentin Gaimard, A. Ramdane, Kamel Merghem, Suresh Sundaram, C E Munson, J.P. Salvestrini, Abdallah Ougazzaden, D. J. Rogers, Paul L. Voss |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Georgia Tech Lorraine [Metz], Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-Georgia Institute of Technology [Atlanta]-CentraleSupélec-Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Georgia Institute of Technology [Atlanta], Laboratoire de photonique et de nanostructures (LPN), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Nanovation SARL (Nanovation), Nanovation SARL, Laboratoire Capteurs Diamant (LCD-LIST), Département Métrologie Instrumentation & Information (DM2I), Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay, ANR-11-BS09-0038,BATGAN,Convertisseur d'energie betavoltaiques a base de nitrure de gallium(2011), Ecole Nationale Supérieure des Arts et Metiers Metz-Georgia Institute of Technology [Atlanta]-Ecole Supérieure d'Electricité - SUPELEC (FRANCE)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université de Franche-Comté (UFC), Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC)-Université Bourgogne Franche-Comté [COMUE] (UBFC), Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Paris-Saclay-Laboratoire d'Intégration des Systèmes et des Technologies (LIST (CEA)) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: |
Battery (electricity)
Betavoltaics betavoltaic Materials science Fabrication Acoustics and Ultrasonics Semiconductor materials 02 engineering and technology $^{Ni}$63 01 natural sciences 7. Clean energy GaN Experimental testing 0103 physical sciences Full model 010302 applied physics Ideal (set theory) [SPI.NRJ]Engineering Sciences [physics]/Electric power 021001 nanoscience & nanotechnology Condensed Matter Physics Engineering physics [INFO.INFO-MO]Computer Science [cs]/Modeling and Simulation Surfaces Coatings and Films Electronic Optical and Magnetic Materials Power (physics) [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics battery 0210 nano-technology |
| Zdroj: | Journal of Physics D: Applied Physics Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2018, 51 (3), pp.035101. ⟨10.1088/1361-6463/aa9e41⟩ Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 51 (3), pp.035101. ⟨10.1088/1361-6463/aa9e41⟩ |
| ISSN: | 0022-3727 1361-6463 |
| DOI: | 10.1088/1361-6463/aa9e41⟩ |
| Popis: | International audience; GaN is a durable, radiation hard and wide-bandgap semiconductor material, making it ideal for usage with betavoltaic batteries. This paper describes the design, fabrication and experimental testing of 1 cm$^2$ GaN-based betavoltaic batteries (that achieve an output power of 2.23 nW) along with a full model that accurately simulates the device performance which is the highest to date (to the best of our knowledge) for GaN-based devices with a $^{Ni}$63 source. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|