Defect assisted subwavelength resolution in III–V semiconductor photonic crystal flat lenses with n=−1

Autor: Maxence Hofman, Olivier Vanbésien, X. Melique, Didier Lippens, Nathalie Fabre
Přispěvatelé: Dispostifs Opto et Micro Electronique - IEMN (DOME - IEMN), Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)
Rok vydání: 2010
Předmět:
Zdroj: Optics Communications
Optics Communications, 2010, 283 (6), pp.1169-1173. ⟨10.1016/j.optcom.2009.10.116⟩
Optics Communications, Elsevier, 2010, 283, pp.1169-1173. ⟨10.1016/j.optcom.2009.10.116⟩
ISSN: 0030-4018
DOI: 10.1016/j.optcom.2009.10.116
Popis: We propose a III–V semiconductor photonic crystal slab designed to operate as a n = −1 superlens at λ 0 = 1.55 μm. The structure consists of air holes arranged in a two-dimensional triangular lattice, of period a, nanopatterned in an InP/InGaAsP/InP slab. Exploiting the second pass-band regime ( a / λ 0 ∼ 0.31), subwavelength resolutions as low as 0.38 λ 0 for planar lenses have been obtained by the insertion of hexagonal nanocavities within the crystal.
Databáze: OpenAIRE