Mechanism of Tin-Induced Crystallization in Amorphous Silicon
| Autor: | A. O. Goushcha, V. Melnyk, Viktor Dan’ko, P.E. Shepeliavyi, A. G. Kuzmich, V. B. Neimash, Volodymyr O. Yukhymchuk |
|---|---|
| Rok vydání: | 2014 |
| Předmět: |
Amorphous silicon
Materials science cонячний елемент нанокристали General Physics and Astronomy chemistry.chemical_element PACS 61.72.uf 61.72.uj 73.40.Vz 78.30.Fs 81.07.Bc law.invention chemistry.chemical_compound nanocrystals metal-induced crystallization law tin iндукована металом кристалiзацiя Shevchenko Crystallization business.industry Nanocrystalline silicon silicon Amorphous solid solar cell кремнiй Semiconductor thin films chemistry Amorphous carbon тонкi плiвки олово Physical chemistry Tin business |
| Zdroj: | Scopus-Elsevier Ukrainian Journal of Physics; Vol. 59 No. 12 (2014); 1168 Український фізичний журнал; Том 59 № 12 (2014); 1168 |
| ISSN: | 2071-0194 2071-0186 |
| DOI: | 10.15407/ujpe59.12.1168 |
| Popis: | Formation of Si nanocrystals in amorphous Si-metallic Sn film structures has been studied experimentally, by using the Auger spectroscopy, electron microscopy, and Raman scattering methods. The results are analyzed in comparison with recent results on the crystallization of tin-doped amorphous Si. A mechanism of silicon transformation from the amorphous to the nanocrystalline state in the eutectic layer at the Si–Sn interface is proposed. The mechanism essence consists in a cyclic repetition of the processes of formation and decay of the Si–Sn solution. The application aspect of this mechanism for the fabrication of nanosilicon films used in solar cells is discussed. Методами оже-спектроскопiї, електронної мiкроскопiї та комбiнацiйного розсiювання свiтла експериментально дослiджено формування нанокристалiв Si в плiвкових структурах аморфний Si–металеве Sn. Результати проаналiзованi в сукупностi з недавнiми даними про кристалiзацiю аморфного Si, легованого оловом. Запропоновано механiзм трансформацiї кремнiю iз аморфного у нанокристалiчний стан у евтектичному шарi на iнтерфейсi Si–Sn. Суть механiзму полягає у циклiчному повтореннi процесiв утворення i розпаду розчину Si у Sn. Розглянуто прикладний аспект використання цього механiзму у виробництвi плiвкового нанокремнiю для сонячних елементiв. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|