Impact of Gate Offset on PBTI of p-GaN Gate HEMTs

Autor:	Ethan S. Lee, Jungwoo Joh, Dong Seup Lee, Jesus A. del Alamo
Rok vydání:	2022
Zdroj:	2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
DOI:	10.1109/irps48227.2022.9764442
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e2e1de37a4fa07669d017e885813d481 https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764442 Zobrazit plný text záznamu