Impact of gate stack processing on the hysteresis of 300 mm integrated WS2 FETs

Autor:	L. Panarella, B. Kaczer, Q. Smets, D. Verreck, T. Schram, D. Cott, D. Lin, S. Tyaginov, I. Asselberghs, C. Lockhart de la Rosa, G. S. Kar, V. Afanas'ev
Rok vydání:	2023
Zdroj:	2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
DOI:	10.1109/irps48203.2023.10117803
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::decdeee84a7c5ca253289691124cc65a https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10117803 Zobrazit plný text záznamu