Ultrasonic absorption in p-type GaSb at low temperature
Autor: | J. P. Desfours, G. Galibert, G. Bougnot |
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Rok vydání: | 1973 |
Předmět: | |
Zdroj: | Physica Status Solidi (a). 15:169-180 |
ISSN: | 1521-396X 0031-8965 |
DOI: | 10.1002/pssa.2210150119 |
Popis: | The influence of the phonon–phonon interaction on the variation of the attenuation coefficient of longitudinal and transversal ultrasonic waves for the frequency of 750 MHz propagating in p-type single crystals of pure GaSb has been studied. Single crystal samples were obtained by the Czochralsky method and had a charge carrier concentration of 1.2 × × 1017 cm−3. The investigation was made at temperatures from 4 to 77 °K along the [111], [110], and [100] crystal axis, using the pulse echo method. The results are compared with Maris' quantum theory. From these results the coupling coefficients were deduced along the various crystal axis studied, and the only kind of thermal phonons that is responsible for the ultrasonic wave attenuation is pointed out. Nous avons etudie l'influence de l'interaction phonon dans la variation du coefficient d'attenuation d'ondes ultrasonores longitudinales et transversales pour la frequence de 750 MHz se propageant dans du GaSb naturel monocristallin de type p (les echantillons monocristallins sont obtenus par la methode de Czochralsky et ont une concentration de 1,2 × 1017 porteurs par cm3) ceci pour des temperatures allant de 4 a 77 °K et suivant les axes cristallographiques [111], [110] et [100]. Les mesures sont faites en utilisant la methode du „pulse echo”. Les resultats sont compares a la theorie quantique de Maris. On en a deduit les coefficients de couplage suivant les differents axes cristallographiques etudies et mis en evidence le seul type de phonons thermiques responsable de l'attenuation de l'onde ultrasonore. |
Databáze: | OpenAIRE |
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