Admittance Spectroscopy of Si/LaLuO3 and Si/GdSiO MOS Structures

Autor:	Frederique Ducroquet, Olof Engström, Heinrich D. Gottlob, Joao Marcelo Lopes, Jürgen Schubert
Rok vydání:	2012
Zdroj:	ECS Meeting Abstracts. :688-688
ISSN:	2151-2043
DOI:	10.1149/ma2012-01/16/688
Popis:	not Available.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae95824bcc8e8caed93665735af1abcd https://doi.org/10.1149/ma2012-01/16/688 Zobrazit plný text záznamu