Low Pressure Thermal CVD Synthesis of Tungesten Nitride Thin Film and its Growth Behavior

Autor: Shinzo Omi, Koji Kishida, Masatoshi Nagai
Rok vydání: 1994
Předmět:
Zdroj: NIPPON KAGAKU KAISHI. :907-912
ISSN: 2185-0925
0369-4577
DOI: 10.1246/nikkashi.1994.907
Popis: 成膜均一性に優れた減圧熱CVD法を用い,全圧0.12kPa,WF6-NH3-H2-Ar混合ガスからシリコン(100)基板上に窒化タングステン薄膜を合成する最適な条件を探索し,各合成パラメーターが成膜速度や膜質におよぼす影響について検討した。析出した窒化タングステンは走査型電子顕微鏡X線回折,X線光電子分光装置を用いて分析した。窒化タングステンは250-800℃ で生成した.低温度では無定形W2Nが析出するが,500℃ 以上ではW2N(200)および(111)面が優先方位面として析出した。250℃ から400℃ までの反応温度域での見かけの活性化エネルギーは62kJ/molであつた。また成膜速度のWF6,NH3およびH2分圧に対する依存性はそれぞれ,1次,0.65次および0次であった.したがって,成膜速度は,おもにWF6とNH3の基板上での表面反応過程に支配されると考えられる。現象論的速度式は次のように表された。
Databáze: OpenAIRE
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