Fabrication of porous gallium nitride (GaN) utilizing two-step etching method and control of its optical properties

Autor: Taketomo SATO, Masachika TOGUCHI
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: Denki Kagaku. 89:365-369
ISSN: 2433-3263
2433-3255
Databáze: OpenAIRE