Electrical Characterization of High Voltage 4H-SiC pin Diodes Fabricated Using a Low Basal-Plane Dislocations Process

Autor:	Pavel A. Ivanov, Michael E. Levinshtein, Mykola S. Boltovets, Valentyn A. Krivutsa, John Palmour, Mrinal K. Das, Brett A. Hull
Rok vydání:	2007
DOI:	10.4028/0-87849-442-1.921
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6e9a1fd21b5d51ba5fb0e830428f243c https://doi.org/10.4028/0-87849-442-1.921 Zobrazit plný text záznamu