ESD Robustness Improvement for VDMOS Transistors to Harsh Applications

Autor: Akio Uenishi, Fumitoshi Yamamoto, T. Kuroi, Shigeto Maegawa, Kenichi Hatasako
Rok vydání: 2008
Předmět:
Zdroj: Extended Abstracts of the 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials.
DOI: 10.7567/ssdm.2008.p-5-12l
Databáze: OpenAIRE