Capacitor-Less 4F DRAM Using Vertical InGaAs Junction for Ultimate Cell Scalability

Autor:	Joon Pyo Kim, Jaeho Sim, Pavlo Bidenko, Dae-Myeong Geum, Seong Kwang Kim, Joonsup Shim, Jongmin Kim, Sanghyeon Kim
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	IEEE Electron Device Letters. 43:1834-1837
ISSN:	1558-0563 0741-3106
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44a1dae7733a9264693ae00334346891 https://doi.org/10.1109/led.2022.3204436 Zobrazit plný text záznamu