Doping-less Tunnel Field-effect Transistor with a Gate Insulator Stack to Adjust Tunnel Barrier

Autor: Min-Gyu Jeon, Kang Lee, Sangwan Kim, Garam Kim, Jang-Hyun Kim
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE. 22:61-68
ISSN: 2233-4866
1598-1657
DOI: 10.5573/jsts.2022.22.2.61
Databáze: OpenAIRE