Doping-less Tunnel Field-effect Transistor with a Gate Insulator Stack to Adjust Tunnel Barrier
Autor: | Min-Gyu Jeon, Kang Lee, Sangwan Kim, Garam Kim, Jang-Hyun Kim |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE. 22:61-68 |
ISSN: | 2233-4866 1598-1657 |
DOI: | 10.5573/jsts.2022.22.2.61 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |