Mapping of ultra-high-pressure annealed n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
Autor: | Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, Tetsu Kachi |
---|---|
Rok vydání: | 2023 |
Předmět: | |
Zdroj: | Materials Science in Semiconductor Processing. 162:107536 |
ISSN: | 1369-8001 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |