Balun actif bande S/C en technologie GaN

Autor:	Dupuy, Victor, Deltimple, Nathalie, Mancuso, Yves, Auric, Claude, Kerherve, Eric
Přispěvatelé:	Conception/CSH, Laboratoire de l'intégration, du matériau au système (IMS), Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), THALES Airborne Systems [Elancourt], THALES, Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Institut Polytechnique de Bordeaux-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1, Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut Polytechnique de Bordeaux-Université Sciences et Technologies - Bordeaux 1
Jazyk:	francouzština
Rok vydání:	2013
Předmět:	balun actif préamplificateur paire différentielle combinaison de puissance GaN [SPI.TRON]Engineering Sciences [physics]/Electronics
Zdroj:	JNM 2013 JNM 2013, May 2013, Paris, France
Popis:	National audience; Cet article présente un circuit en technologie GaN en bande S/C réalisant la fonction de conversion du mode single vers le mode différentiel. D'autre part ce circuit peut être utilisé comme préamplificateur d'un amplificateur de puissance. En effet ce circuit délivre plus de 25dBm sur chaque voie différentielle dans la bande [2,4GHz-6GHz] avec un maximum de 27,4dBm à 3,8GHz
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::875d7e4af15f751aacc0eac3a45be5f7 https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00991864/file/JNM_2013_Victor_Dupuy_4pages.pdf Zobrazit plný text záznamu