Suppression of boron transient-enhanced diffusion In SiGe HBTs by a burried carbon layer

Autor: Jouan, S., Baudry, H., Dutartre, D., Fellous, C., Laurens, M., Lenoble, D., Marty, M., Monroy, A., Perrotin, A., Ribot, P., Vincent, G., Chantre, A.
Přispěvatelé: Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Clot, Marielle, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2001
Předmět:
Zdroj: IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, 2001, pp.Vol 48, n8, 2001
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, pp.Vol 48, n8, 2001
ISSN: 0018-9383
Popis: International audience
Databáze: OpenAIRE