Modèle électrique et caractérisation à haute fréquence de condensateurs intégrés sur interposeur silicium

Autor: Artillan, Philippe, Dieng, Khadim, Bermond, Cédric, Guiller, Olivier, Lacrevaz, Thierry, Joblot, Sylvain, Houzet, Gregory, Farcy, Alexis, Lamy, Yann, Flechet, Bernard
Přispěvatelé: Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry]), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Université Joseph Fourier - Grenoble 1 (UJF)-Institut polytechnique de Grenoble - Grenoble Institute of Technology (Grenoble INP )-Université Savoie Mont Blanc (USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry])-Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Artillan, Philippe
Jazyk: francouzština
Rok vydání: 2015
Předmět:
Zdroj: XIXe Journées Nationales Microondes (JNM'15)
XIXe Journées Nationales Microondes (JNM'15), Jun 2015, Bordeaux, France
Popis: National audience; La technologie des « Through Silicon Vias » (TSV) développée pour les interconnexions des interposeurs silicium utilisés dans les empilements 2.5D de circuits intégrés a inspiré de nouveaux composants capacitifs, les « Through Silicon Capacitors » (TSC). Ce papier propose une méthode de modélisation électrique par segments pour de larges matrices de plus de 100 TSCs. La technique de modélisation est ensuite validée expérimentalement sur une large gamme de fréquence (DC-10 GHz). Les matrices de TSC analysées présentent une forte densité de capacité (>23 nF/mm2), de faibles éléments parasites et une fréquence de résonance élevée (>1 GHz pour 10 nF). Ces résultats sont prometteurs pour le découplage dans les réseaux d’alimentation des circuits intégrés très rapides.
Databáze: OpenAIRE