Fabrication and characterization of 200-nm self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFET

Autor: Olivier, O., Wichmann, N., Mo, J.J., Noudeviwa, A., Roelens, Y., Desplanque, L., Wallart, X., Danneville, F., Dambrine, G., Martin, F., Desplats, O., Wang, Y., Chauvat, M.P., Ruterana, P., Maher, H., Saint-Martin, J., Shi, Minghua, Bollaert, S.
Přispěvatelé: Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Advanced NanOmeter DEvices - IEMN (ANODE - IEMN), Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF)-Centrale Lille-Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN)-Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (UVHC)-Université de Lille-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Polytechnique Hauts-de-France (UPHF), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Institut d'électronique fondamentale (IEF), Université Paris-Sud - Paris 11 (UP11)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique (CIMAP - UMR 6252), Université de Caen Normandie (UNICAEN), Normandie Université (NU)-Normandie Université (NU)-École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen (ENSICAEN), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut de Recherche sur les Matériaux Avancés (IRMA), Normandie Université (NU)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Normandie Université (NU)-Institut national des sciences appliquées Rouen Normandie (INSA Rouen Normandie), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université de Rouen Normandie (UNIROUEN), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Normandie Université (NU)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), OMMIC
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2010
Předmět:
Zdroj: Proceedings of the 22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, May 2010, Takamatsu, Japan. pp.41-43, ⟨10.1109/ICIPRM.2010.5515926⟩
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Japan. pp.41-43, ⟨10.1109/ICIPRM.2010.5515926⟩
DOI: 10.1109/ICIPRM.2010.5515926⟩
Popis: International audience; In this paper, a 200 nm n-channel inversion-type self-aligned In 0.53 Ga 0.47 As MOSFET with a Al 2 O 3 gate oxide deposited by Atomic Layer Deposition (ALD) is demonstrated. Two ion implantation processes using silicon nitride side-wall are performed for the fabrication of the n-type source and drain regions. The 200 nm gate-length MOSFET with a gate oxide thickness of 8 nm features the transconductance of 70 mS/mm and the maximum drain current of 200 mA/mm.
Databáze: OpenAIRE
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