Retention in metal-oxide-semiconductor structures with two embedded self-aligned Ge-nanocrystal layers
| Autor: | Duguay, S., Burignat, S., Kern, P., Grob, J.J., Souifi, A., Slaoui, A. |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes (InESS), Université Louis Pasteur - Strasbourg I-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Jung, Marie-Anne |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2007 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Semicond. Sci. Technol. Semicond. Sci. Technol., 2007, 22, pp. 837-842 |
| Popis: | International audience |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|