Investigation on icp-cvd as a polyvalent low cost technology dedicated to low temperature μ-si tft prototyping
| Autor: | de Sagazan, O., Uvarov, A., Bestelink, E., Sporea, R, Jacques, Emmanuel |
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| Přispěvatelé: | Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (IETR), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), University of Surrey (UNIS), Donelan J., Nantes Université (NU)-Université de Rennes 1 (UR1), Université de Nantes (UN)-Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-CentraleSupélec-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | 57th SID International Symposium, Seminar and Exhibition, Display Week, 2020 57th SID International Symposium, Seminar and Exhibition, Display Week, 2020, Aug 2020, San Jose, United States. pp.1538-1541, ⟨10.1002/sdtp.14182⟩ |
| DOI: | 10.1002/sdtp.14182⟩ |
| Popis: | International audience; A Corial Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition (ICP-CVD) system has been investigated to produce un-doped and doped μ-Si layers, as well as insulators, leading to a general capability of performing N and P type TFTs. This enables to develop rapid prototyping of TFTs. Resistivity of layers and TFT issues from ICP-CVD have been electrically characterized. © 2020 SID. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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