Hétéro-épitaxie III-V/Si : contrôle des propriétés des surfaces et interfaces pour la photo-électrochimie
| Autor: | Cornet, Charles, Chen, Lipin, Piriyev, Mekan, Loget, Gabriel, Fabre, Bruno, Patriarche, Gilles, Léger, Yoan, Beck, Alexandre, Ponchet, Anne, Skibitzki, Oliver, Turban, Pascal, Schieffer, Philippe, Pedesseau, Laurent, Even, Jacky, Bertru, Nicolas |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Institut des Sciences Chimiques de Rennes (ISCR), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes (ENSCR)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), Université Paris-Saclay-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES), Institut National des Sciences Appliquées - Toulouse (INSA Toulouse), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie de Toulouse (ICT), Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Institut de Recherche pour le Développement (IRD)-Université Toulouse III - Paul Sabatier (UT3), Université de Toulouse (UT)-Institut de Chimie du CNRS (INC)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Institut National Polytechnique (Toulouse) (Toulouse INP), Université de Toulouse (UT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Innovations for High Performance Microelectronics (IHP), Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), ANR-21-CE09-0020,PIANIST,Propriétés physiques de matériaux hybrides semi-métal/semi-conducteur III-V/Si(2021), ANR-14-CE26-0014,ANTIPODE,Analyse approfondie de la nucléation III-V/Si pour les composants photoniques hautement intégrés(2014) |
| Jazyk: | francouzština |
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | 35èmes Journées Surfaces et Interfaces 35èmes Journées Surfaces et Interfaces, Jan 2022, Dijon (virtual), France |
| Popis: | National audience; L’intégration monolithique de semi-conducteurs III-V sur substrat de Si a de nombreux avantages dans le domaine de la photonique, de l’électronique, ou de l’énergie. Dans cet exposé, nous montrerons tout d’abord le rôle fondamental des surfaces et interfaces et de leur structure atomique lors de la croissance III-V sur Si. Nous montrerons ensuite que les parois d’antiphase créées lors de la croissance cristalline se comportent comme des singularités 2D avec des propriétés de confinement de porteurs et de phonons originales. Enfin, nous montrerons comment ces singularités peuvent dans certains cas se comporter comme des inclusions semi-métalliques, et comment il est possible de s’en servir pour la production d’hydrogène solaire. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|