Optimization Conditions for High-Power AlGaN/InGaN/GaN/AlGaN High-Electron-Mobility Transistor Grown on SiC Substrate.

Autor:	Kim, Bonghwan1 (AUTHOR) bhkim@cu.ac.kr, Park, Seung-Hwan1 (AUTHOR)
Zdroj:	Materials (1996-1944). Nov2024, Vol. 17 Issue 22, p5515. 9p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.