On the Evaluation of Gate Dielectrics for 4H‐SiC Based Power MOSFETs.

Autor:	Nawaz, Muhammad1 (AUTHOR) muhammad.nawaz@se.abb.com, Horng, Jiun-Wei1 (AUTHOR)
Zdroj:	Active & Passive Electronic Components. 5/16/2024, Vol. 2024, p1-12. 12p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.