Improvements in Resistive and Capacitive Switching Behaviors in Ga 2 O 3 Memristors via High-Temperature Annealing Process.

Autor:	Lee, Hye Jin1 (AUTHOR), Kim, Jeong-Hyeon1 (AUTHOR), Kim, Hee-Jin1 (AUTHOR), Lee, Sung-Nam1,2 (AUTHOR) snlee@tukorea.ac.kr
Zdroj:	Materials (1996-1944). Jun2024, Vol. 17 Issue 11, p2727. 13p.
Databáze:	Academic Search Ultimate
Externí odkaz:	Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.